英媒：中国芯片制造能力仍落后国际10年！其实这都算高估

据日前，中芯国际对外发布的报告显示，在中芯国际首代FinFET14nm技术进入客户验证阶段，可靠度和良率获进一步提升的同时，针对12nm工艺的技术开发也取得重大突破，预估14nm工艺在年内就将展开规模性量产。

自创建以来，中芯国际已经成长为中国当前规模最大，技术水平最高，排名全球第四位的芯片代工企业。在很多手机发布会现场，厂商介绍处理器的时候总会蹦出“FinFet工艺制造”之类的名词，那到底什么是FinFET工艺，它究竟靠哪些优势让国际大厂趋之若鹫的呢？

FinFET被称为鳍式场效应晶体管，由美籍华人科学家胡正明教授提出，该项工艺的使用不仅能改善电路控制和减少漏电流，同时也可以大幅缩减晶体管闸长。FinFET工艺的极限是7nm制程，目前台积电已实现10nm工艺。

最近，英媒曾发布报道表示，中国芯片制造能力仍落后国际十年。对此，有些学者认为虽然中国芯片整体落后于国际水平一个代差的距离，但只要虚心接受，奋起直追，再过几年就能扭转过来。可我们必须要知道，目前中芯国际正在攻克的14纳米工艺，三星在2014年就已经达到。

客观来讲，当前中国在芯片制造领域的投入还有待提升，同时国内也急缺芯片领域的科研人才。且不说和韩国的三星相比，中芯国际和台积电之间也有着不小差距，壹八年台积电研发费用将近30亿美元，而中芯国际还不足6亿美元，待遇上台积研发人员收入能达到中芯国际的6倍之高，所以，中国攻破西方芯片垄断壁垒迫在眉睫，道阻且艰。