iPhone 6Plus闪存问题或导致苹果更换构架

　　根据韩国媒体 BusinessKorea 的报导，苹果正在考虑将 iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 的 NAND 闪存构架从三阶储存单元（Triple-Level Cell，即 TLC）改为多阶储存单元（Multi-Level Cell，即 MLC），其主要原因就是前段时间曝出的 NAND 闪存引起的崩溃现象。

　　有趣的是，当初也是 BusinessKorea 最先报导了 128GB iPhone 6 Plus 因 NAND 故障而崩溃的消息，这家媒体还宣称苹果将会大规模召回 iPhone 6 Plus，最终被证实为谣传。据了解，制造 TLC 型 NAND 闪存的公司是 Anobit，这家公司在 2011 年被苹果收购。在 iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 之前，苹果在 iPhone 产品线上所使用的闪存构架都是 MLC。

　　MLC 和 TLC 的最大区别是：采用 TLC 构架的闪存成本更低，而且其核心尺寸也更小，而这两个主要特性正好符合苹果的胃口。对于韩媒所说的 TLC 构架问题，Anobit 方面已经有人进行了反驳，声称构架不同并不是造成 iPhone 6 Plus 崩溃的原因，不过 Anobit 并没有进一步对此事进行解释。

　　有开发者预测，苹果将会在 iOS 8.1.1 固件更新当中对 NAND 芯片进行优化以便解决上述的崩溃问题。