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  • Hynix研发垂直堆叠内存 带宽256GB/ s

    Hynix研发垂直堆叠内存 带宽256GB/ s

    Hynix正在和AMD联合研发高带宽的内存HBM,它采用堆叠DRAM设计,采用和处理器相同的封包。目前也已经有JEDEC标准管理接口。现在,Hynix官方公布了这种内存的前瞻性演示幻灯片。根据幻灯片,Hynix第一代垂直堆叠内存采用4个DRAM芯片堆叠在一个基础层之上,采用

    2016-04-04 Hynix 研发 垂直 堆叠 内存 带宽 256GB Hyn